画像：3人の素人で始めた日亜化学レーザー開発、なぜ突破口を見いだせたのか
2025.6.17
長濱慎一氏（第二部門LD事業本部主席研究員、日亜研究所主席研究員）
GaN系半導体レーザーの開発にはわずか3人で着手し、しかも皆が専門外だったと当時を振り返る。（撮影：上田 純）
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